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PEMT1,115相关型号

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    MOSFET 30V N-channel Trench MOSFET

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Nexperia热销型号

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  • PDTD143ETR

    双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped

  • PMBT4403Z

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  • PSMN1R6-30BL,118

    MOSFET Std N-chanMOSFET

  • PDTD114ETR

    双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped

  • PDTB113ZT,215

    双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7

  • PBSS5360XF

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bipolar Discretes SOT89

  • PMGD290UCEAX

    MOSFET PMGD290UCEA/SC-88/REEL 7" Q1/T

图片仅供参考，请参考产品描述

  • PEMT1,115

  • 制造商：Nexperia USA Inc.
  • 批号：19+
  • 描述：TRANS 2PNP 40V 0.1A SOT666
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装标准卷带
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • 晶体管类型2 PNP（双）
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）100mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）40V
  • 不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）200mV @ 5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）100nA（ICBO）
  • 不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）120 @ 1mA，6V
  • 功率 - 最大值300mW
  • 频率 - 跃迁100MHz
  • 工作温度150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOT-563，SOT-666
  • 供应商器件封装SOT-666

其它信息

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