MOSFET - 安世半导体
MOSFET - 安世半导体产品介绍编辑：Nexperia 文章来源：Nexperia官网MOSFET
通过大量投资于研发，Nexperia持续不断地利用先进的小信号和功率MOSFET解决方案扩充Nexperia的产品组合。Nexperia种类齐全的产品组合提供当今市场所需的灵活性，让您可以轻松选择最适合您系统的产品。Nexperia市场领先的技术确保提供最高的可靠性和性能，而先进的封装则可以增强电阻和热性能，同时缩小尺寸，降低成本。
N沟道MOSFET≤ 20 V
为您的便携式设计找到最佳开关解决方案
Nexperia提供种类多样的单双N沟道MOSFET（高达20 V）供您选择。可信赖的TrenchMOS和封装技术带来极高的可靠性。Nexperia的低压MOSFET易于使用，专用于满足具备低驱动电压的便携式应用的需求。
N沟道MOSFET 25 V - 30 V
先进专业技术知识带来稳健的性能
支持25 V至30 V电压、易于使用的MOSFET。这些器件提供出色的开关性能和一流的安全工作区域(SOA)，非常适合空间和功率因素至关重要的应用。需要不同的额定电压？查看大规模产品组合中的其他产品，了解更多选择。
N沟道MOSFET 40 V - 60 V
采用多种封装的逻辑电平和标准电平MOSFET
在大规模MOSFET器件产品组合中，以40 V至60 V范围内稳健、易于使用的MOSFET为例。它们提供出色的开关性能和一流的安全工作区域(SOA)，非常适合空间和功率因素至关重要的应用。
N沟道MOSFET 75 V - 200 V
现在，您已进入全球一流的标准MOS产品组合之一
在75 V至200 V产品范围内寻找可简化设计的高可靠性MOSFET？Nexperia的器件提供出色的开关性能和一流的安全工作区域(SOA)，非常适合空间和功率因素至关重要的应用。例如，Nexperia的LFPAK功率MOSFET系列拥有超低导通电阻RDSon、高速开关能力以及最高达200 V的电压额定值。
P沟道MOSFET
当N沟道不合适时，它是用于设计的理想之选
Nexperia种类丰富的MOSFET产品目录也包括许多P沟道器件系列，它们采用Nexperia领先的Trench技术。它们的额定电压12 V至70 V，采用低功率和中等功率封装，提供Nexperia熟悉的高能效和高可靠性组合。
N/P沟道双路MOSFET
高效性能，高效设计
通过将N沟道和P沟道MOSFET集成在同一封装，这些补充型MOSFET器件能在空间因素至关重要的系统中为您提供高度灵活性。Nexperia的产品范围涵盖多种额定电压和电流，能够满足多种应用的需求。
汽车MOSFET
世界最大规模的符合AEC-Q101标准的功率MOSFET产品组合
Nexperia通过对汽车系统要求的深入理解以及精湛的技术能力，提供适合各种应用的功率半导体解决方案。从驱动简单灯具，到满足发动机、车身或底盘应用中对动力控制的复杂需求，Nexperia的功率半导体可解决许多汽车系统功率问题。