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PSMN1R5-30YLC,115相关型号
Nexperia热销型号

  • PMDT290UNEYL

    MOSFET PMDT290UNE/SOT666/SOT6

  • PDTD143ETR

    双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped

  • PMBT4403Z

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS PNP SW 40V 600 MA

  • PSMN1R6-30BL,118

    MOSFET Std N-chanMOSFET

  • PDTD114ETR

    双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped

  • PDTB113ZT,215

    双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7

  • PBSS5360XF

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bipolar Discretes SOT89

  • PMGD290UCEAX

    MOSFET PMGD290UCEA/SC-88/REEL 7" Q1/T

图片仅供参考，请参考产品描述

  • PSMN1R5-30YLC,115

  • 制造商：Nexperia USA Inc.
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，PSMN1R5-30YLC,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）30V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）100A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）1.55 毫欧 @ 25A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.95V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）65nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）4044pF @ 15V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）179W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装LFPAK56，Power-SO8
  • 封装/外壳SC-100，SOT-669

其它信息

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