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PBSS4032ND,115相关型号
Nexperia热销型号

  • PMDT290UNEYL

    MOSFET PMDT290UNE/SOT666/SOT6

  • PDTD143ETR

    双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped

  • PMBT4403Z

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS PNP SW 40V 600 MA

  • PSMN1R6-30BL,118

    MOSFET Std N-chanMOSFET

  • PDTD114ETR

    双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped

  • PDTB113ZT,215

    双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7

  • PBSS5360XF

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bipolar Discretes SOT89

  • PMGD290UCEAX

    MOSFET PMGD290UCEA/SC-88/REEL 7" Q1/T

图片仅供参考，请参考产品描述

  • PBSS4032ND,115

  • 制造商：Nexperia
  • 批号：19+
  • 描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BISS Transistor Hi-Speed Switch
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:Nexperia
  • 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
  • RoHS:是
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SC-74-6
  • 晶体管极性:NPN
  • 配置:Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
  • 最大直流电集电极电流:6 A
  • 增益带宽产品fT:135 MHz
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 商标:Nexperia
  • 集电极连续电流:3.5 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:60
  • Pd-功率耗散:480 mW
  • 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors
  • 资格:AEC-Q101
  • 工厂包装数量:3000
  • 子类别:Transistors

其它信息

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